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DMN2009LSS
0.015
V GS = 2.5V
1.4
1.3
0.01
V GS = 4.5V
I D = 10A
I D = 8A
1.2
V GS = 4.5V
I D = 10A
V GS = 10V
I D = 12A
0.005
0
V GS = 10V
I D = 12A
1.1
1.0
0.9
0.8
V GS = 2.5V
I D = 8A
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10,000
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 On-Resistance Variation with Temperature
1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 On-Resistance Variation with Temperature
1,000
C iss
0.8
0.6
I D = 250μA
C oss
0.4
C rss
0.2
100
0
0
4
8 12 16
20
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
100
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Capacitance
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1
0.1
0.01
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.001
0.0001
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
1
DMN2009LSS
Document number: DS31409 Rev. 6- 2
3 of 5
www.diodes.com
June 2010
? Diodes Incorporated
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